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2.隨著環(huán)境溫度的升高，靈敏度降低。由于材料特性（熱電偶材料、薄膜材料），在較高的環(huán)境溫度下，靈敏度（每吸收輻射伏特?cái)?shù)）較低。這種熱電堆特性用溫度系數(shù)TCSENS表示。
事實(shí)1的結(jié)果是，整個(gè)曲線在不同的電壓水平下移動(dòng)，這取決于環(huán)境溫度。這些曲線之間的距離在這里稱為偏移VOFFS。
No 2的結(jié)果是曲線的梯度（與熱電堆靈敏度成正比）隨著環(huán)境溫度的升高而減小。溫度越高，曲線越平坦。
請(qǐng)注意，特性曲線形式不受這兩個(gè)因素的影響。事實(shí)1只會(huì)改變曲線，事實(shí)2會(huì)壓縮曲線。根據(jù)環(huán)境溫度拉伸曲線。曲線特性僅取決于熱電堆的濾波特性。在大多數(shù)應(yīng)用中，濾波器特性的這種變化可以忽略不計(jì)。
通過(guò)了解特定熱電堆的靈敏度和溫度系數(shù)TCSENS，可以確定與參考熱電堆的關(guān)系，從而計(jì)算目標(biāo)溫度。查表與反查表
本章簡(jiǎn)要說(shuō)明了如何測(cè)量參考查找表所需的參考值。描述了該LUT的基本操作。
參考TP應(yīng)為具有平均水平靈敏度的熱電堆。應(yīng)在應(yīng)用中進(jìn)行測(cè)量。這意味著應(yīng)測(cè)量整個(gè)信號(hào)路徑（包括預(yù)放大…）。
測(cè)量結(jié)果可以在右邊的表格中。
步長(zhǎng)取決于后期溫度檢測(cè)所需的精度和微控制器中的可用內(nèi)存。
算法后面需要對(duì)該LUT執(zhí)行兩個(gè)操作：
1.V=LUT（T）
2.T=RLUT（V）
例子：
V=LUT（T=45°C）=1.70mV
T=RLUT（V=4.34mV）=70°C
TS118-1傳感器溫度=25°C物體溫度[°C]VTP[毫伏]
校準(zhǔn)
校準(zhǔn)是指：
測(cè)量熱電堆參數(shù)，之后需要確定實(shí)際測(cè)量的熱電堆電壓和參考熱電堆電壓之間的聯(lián)系。將這些參數(shù)存儲(chǔ)在傳感器的非易失性存儲(chǔ)器中。
所需參數(shù)是TCSENS和與參考傳感器相比的靈敏度，靈敏度轉(zhuǎn)換系數(shù)SCONV。
在某些應(yīng)用中，根本不需要確切地知道每個(gè)傳感器的TCSENS，這意味著應(yīng)該考慮數(shù)據(jù)表值。在這種情況下，只需要“一次環(huán)境溫度校準(zhǔn)”來(lái)測(cè)量靈敏度。
請(qǐng)參見(jiàn)下面的示例如何測(cè)量SCONV。
在該示例中，在TSEN=TREF=25°C和TOBJ=100°C時(shí)，將校準(zhǔn)中TP的電壓與參考TP的電壓進(jìn)行比較。結(jié)果是靈敏度轉(zhuǎn)換系數(shù)SCONV為0.982。該值必須存儲(chǔ)在校準(zhǔn)傳感器的非易失性存儲(chǔ)器中。 |
